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晶圓等離子去膠

文章出處：等離子清洗機(jī)廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時(shí)間：2022-04-03

光刻膠的去除在IC制造工藝流程中占非常重要的地位，其成本約占IC制造工藝的20-30%，光刻膠去膠效果太弱影響生產(chǎn)效率，去膠效果太強(qiáng)容易造成基底損傷，影響整個(gè)產(chǎn)品的成品率。傳統(tǒng)主流去膠方法采用濕法去膠，成本低效率高，但隨著技術(shù)不斷迭代更新，越來越多IC制造商開始采用干法式去膠，干法式去膠工藝不同于傳統(tǒng)的濕法式去膠工藝，它不需要浸泡化學(xué)溶劑，也不用烘干，去膠過程更容易控制，避免過多算上基底，提高產(chǎn)品成品率。

干法式去膠又被稱為等離子去膠，其原理同等離子清洗類似，主要通過氧原子核和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應(yīng)來去除光刻膠，由于光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。

等離子物理去膠過程:主要是物理作用對清洗物件進(jìn)行轟擊達(dá)到去膠的目的，主要的氣體為氧氣、氬氣等，通過射頻產(chǎn)生氧離子，轟擊清洗物件，以獲得表面光滑的最大化，并且結(jié)果是親水性增大，如圖1所示。

物理清洗前后

等離子化學(xué)清洗過程:清洗物的表面主要是以化學(xué)反應(yīng)的形式表現(xiàn)作為主要的清洗目的，利用射頻電源將氣體電離活化，與有機(jī)物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成CO2和H2O，然后經(jīng)真空泵將其抽走，達(dá)到清洗目的，如圖2所示。有機(jī)物+O2→CO2+H2O。

化學(xué)清洗前后

影響等離子去膠效果的工藝參數(shù)有很多，主要包括工藝氣體流向，工藝氣體流量，射頻功率，射頻頻率，去膠時(shí)間，真空壓力值以及腔體溫度。

具體各參數(shù)對等離子清洗影響:

1)氣體流向:等離子去膠工藝中一般采用石英腔體，采用垂直的氣體流向，并加以分氣盤進(jìn)行整個(gè)氣流的覆蓋，決定了等離子體的具體位置，對去膠元件的好壞有決定性的影響。

2)工藝氣體流量:工藝氣體如氧氣、氬氣等的流量的多少直接導(dǎo)致了等離子體的多少，過多過少都不會有較好的去膠效果，對元件的去膠均勻性有較大影響。

3)射頻功率:決定了氣體形成離子態(tài)的能量大小，功率越大能夠激發(fā)越多氣體形成離子態(tài)，去膠清洗效果越明顯，但其余參數(shù)不變的前提下，功率越大，腔體內(nèi)溫度越高，且當(dāng)氣體流量達(dá)到飽和后，一定射頻功率能激發(fā)的離子體也會達(dá)到飽和，需根據(jù)實(shí)際條件配合氣體流量及工藝要求選擇。

4)射頻頻率:射頻頻率選擇一般通用13．56MHz及2．45GHz，射頻的頻率影響工藝氣體的電離程度，但頻率過高，會導(dǎo)致電子振幅縮短，當(dāng)振幅比電子自由程還短時(shí)，電子與氣體分子碰撞機(jī)率也會大大降低，影響最終電離率。

5)清洗時(shí)間:其余參數(shù)不變的前提下，去膠時(shí)間越長，去膠越多，腔體溫度會增加，但伴隨著溫度升高，對某些不耐高溫及易損工件會造成損壞，因此不適宜長時(shí)間清洗，一般控制在30s～180s之間。

6)真空壓力值:腔體真空壓力的控制也是一個(gè)重要的環(huán)節(jié)，在氧氣流量和功率一定情況下，要提高真空度，必須更換大抽速的泵，大功率泵會造成氣體離子密度降低，從而使去膠效果變差，但是本章要介紹的是利用電氣部件蝶閥來控制腔體的真空度，來達(dá)到我們在不改變氧氣的濃度條件下怎樣來控制一個(gè)腔體的真空度。

7)腔體溫度:腔體溫度對去膠速率有較大影響，溫度增加去膠速率越大，但是均勻性會變差，因此要嚴(yán)格控制腔體的溫度，為去膠清洗工藝營造一個(gè)良好的環(huán)境。

等離子去膠工藝是半導(dǎo)體單片掃膠、掃底膜工藝、元器件封裝前、芯片制造等行業(yè)的重要清洗步驟。