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直流輝光放電


直流輝光放電是最常用的一種放電方式,在真空室內(nèi)壓強(qiáng)小于1Pa的條件下,給兩電極間施加電場,當(dāng)電場強(qiáng)度達(dá)到50-1000V/cm時(shí),即可產(chǎn)生等離子體。常見的直流輝光放電實(shí)驗(yàn)原理如圖1-1所示。在玻璃放電管兩端封裝放電電極,放電管內(nèi)建立低氣壓環(huán)境,兩端電極加直流高壓,當(dāng)極間電壓達(dá)到幾百伏時(shí),放電開始并形成等離子體,放電電流一般為幾百個(gè)毫安培。直流輝光放電的電子溫度約為幾個(gè)電子伏左右,并且電子的溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于離子溫度,所以稱之為低溫等離子體。直流輝光放電的電子密度約109cm-3~1011cm-3,由于粒子在電場作用下直接從一個(gè)極板運(yùn)動(dòng)到另一極板,移動(dòng)距離短,與氣體分子撞擊的機(jī)率很低,因此等離子密度低,且分布不均勻。

在直流輝光放電管中,按照放電區(qū)域粒子的能量、電壓和外部表現(xiàn)的特征,一般可分為四個(gè)區(qū)域:分別是陰極區(qū)、過渡區(qū)、正柱區(qū)和陽極區(qū)。從圖1-1可以看出,在陰極區(qū),電場的分布是不均勻的,陰極區(qū)的光層可劃分成阿斯頓暗區(qū)、陰極輝區(qū)和陰極暗區(qū)(克洛克斯暗區(qū));過渡區(qū)介于陰極區(qū)和正柱區(qū)之間,又可細(xì)分為兩個(gè)區(qū):負(fù)輝區(qū)和法拉第暗區(qū),其中負(fù)輝區(qū)是放電空間光強(qiáng)最強(qiáng)的區(qū)域,也是正負(fù)電荷濃度最大而且最接近的區(qū)域,所以稱為等離子體區(qū)域;過渡區(qū)后就是正柱區(qū),正柱區(qū)的長度是由放電管的極間間距決定的,正柱區(qū)均勻放電時(shí),電場分布是均勻的,如電荷濃度、電位梯度等沿軸向都是均勻分布的。陽極區(qū)不是放電的主要區(qū)域,其作用僅僅是保證陽極接受到足夠的電子而形成電流,在接近陽極處,電子受陽極吸引加速運(yùn)動(dòng),而離子則被排斥。
輝光放電模型
圖1-1 直流輝光放電裝置示意圖

直流輝光放電裝置簡單,容易實(shí)現(xiàn),工業(yè)應(yīng)用廣泛。其缺點(diǎn)主要有三點(diǎn):一是粒子受電場作用在電極間運(yùn)動(dòng),移動(dòng)行程短,與氣體分子發(fā)生碰撞的機(jī)率小,氣體的電離度不高,等離子密度低;二是等離子的能量大部分轉(zhuǎn)化成了溫升,能量轉(zhuǎn)換效率不高;三是由于電極(陽極)位于真空室內(nèi),持續(xù)受到電子的高速轟擊,電極消耗過快,壽命較短,同時(shí)極板在電子轟擊時(shí)容易發(fā)生二次濺射,會(huì)對(duì)被處理的零件造成污染,因此只適合于要求較低的工業(yè)處理中應(yīng)用。
 
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