等離子清洗去除殘留干膜，并能提高干膜表面潤濕性

文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間：2022-09-05

封裝基板在芯片和印制電路板互連中起橋梁作用，其線路精細程度、引腳分布數(shù)都遠高于傳統(tǒng)的印制電路板或背板．在封裝襯底技術從簡單的雙面襯底進化到超高密度襯底，這就要求封裝基板走向高密度化設計與制造．無核封裝基板制作技術作為高密度封裝基板的主要生產(chǎn)技術之一，其工藝流程的特征是圖形轉移獲得銅柱的圖形模板，再進行自下而上的電鍍得到導電銅柱。

相比于傳統(tǒng)的線路的圖形轉移工藝，銅柱制作工藝使用的干膜厚度厚，顯影液較難進入干膜底部，導致圖形轉移后的干膜微孔底部有嚴重的殘留物，使電鍍銅柱底部產(chǎn)生底部不均勻性，影響信號傳輸?shù)耐暾裕m然顯影時間較長時，干膜微孔底部干膜殘留物能被去除，但是干膜表面和銅柱口部會被顯影過度，由干膜微孔長生的銅柱形態(tài)和性能均會受到影響。

等離子清洗技術廣泛應用在電子行業(yè)（主要是半導體和光電工業(yè)）、橡膠、塑料、汽車及國防等領域．在半導體制造業(yè)中，等離子清洗技術已經(jīng)成為不可或缺的工藝，其主要作用是能夠有效提高半導體元器件在生產(chǎn)制造過程中表面的潔凈度，提高產(chǎn)品的可靠性。

等離子清洗干膜原理：

用于干膜清洗的氣體是O2和CF4，在高頻的作用下產(chǎn)生等離子體，如下反應：

O2→O+O（1-1）
CF4→CF2+2F（1-2）
CF4→CF3+F（1-3）

清洗過程中活化態(tài)的O原子通過進攻C=C鍵、C=O鍵進行反應，而F原子則進攻C-H鍵，形成活躍物質，然后和氧原子反應生成揮發(fā)性產(chǎn)物而被排出系統(tǒng)。清洗過程分五個步驟：等離子產(chǎn)生，等離子向物體表面擴散，和被清洗材料發(fā)生反應，得到易揮發(fā)的產(chǎn)物，脫離材料表面，產(chǎn)物被抽走。

等離子清洗后表面形貌分析

SEM觀察等離子清洗前后的干膜表面形貌，分析等離子清理對干膜表面形貌的影響，如圖1所示．

圖 1 干膜的表面形貌：（ａ）等離子清洗前，（ｂ）等離子清洗后

從圖1（a）可以看出：在02/CF4等離子清洗前，干膜表面平滑，沒有特別明顯的凹坑或者凸起，但由于顯影不凈造成了干膜微孔底部存在大量的干膜殘留物．如圖1（b）所示，經(jīng)過02/CF4等離子清洗后的干膜表面變得凹凸不平，干膜微孔底部的干膜殘留基本被清除，且干膜微孔形完整未被破壞．對比等離子處理前后的干膜形貌發(fā)現(xiàn)，02/CF4等離子清洗對孔內外均有蝕刻作用，形成粗糙的干膜表面，清除干膜微孔底部干膜殘留的效果明顯，且干膜微孔形貌未被破壞。

以上就是國產(chǎn)等離子清洗機廠家納恩科技整理的有關等離子清洗去除殘余干膜的資料，02/CF4等離子清洗可以較好地清除了銅柱圖形底部的干膜殘留，同時還能達到潤濕干膜的效果，提高干膜的表面能，從而提高了電鍍后的電鍍銅柱底部的均勻性，有利于封裝基板線路層間的信號傳遞的完整性。