plasma等離子體干法蝕刻技術簡介

文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間：2023-09-12

等離子體（plasma）作為物質的一種聚集狀態(tài)，被稱做物質的第四態(tài)。對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子體。等離子體中包含多種物質，比如：高速運動狀態(tài)中的電子；激活狀態(tài)中的中性原子、分子、原子團（自由基）；離子化的原子、分子；未反應的分子、原子等，物質在總體上保持電中性。

等離子體與氣、液、固三態(tài)有明顯的區(qū)別：等離子體由氣態(tài)轉化時需要克服原子核對外層電子的束縛，而氣、固、液三態(tài)間的轉化只涉及分子間力的變化。等離子體具有：溫度高、粒子動能大、優(yōu)良導電性，化學性質活潑，發(fā)光特性等優(yōu)點。

等離子體干法蝕刻技術簡介

干法刻蝕技術是利用等離子體刻蝕薄膜，主要通過物理和化學蝕刻達到刻蝕目的。目前，干法蝕刻技術有：反應離子刻蝕（RIE）、電子回旋共振等離子體刻蝕（ECR）和感應耦合等離子體（ICP）刻蝕。

干法刻蝕按反應機理類型主要分為物理、化學性刻蝕以及反應離子性刻蝕三種。其中物理性刻蝕又稱為濺射刻蝕。

（1）物理刻蝕：氣體電離產生的離子與被刻蝕的材料發(fā)生碰撞，引起材料表面原子的濺射，達到刻蝕目的。刻蝕速度較快，具有各向異性，但選擇性差，刻蝕效果不理想。如圖1-1a所示。

（2）化學刻蝕：反應離子與刻蝕材料發(fā)生化學反應從而達到刻蝕目的。具有高度選擇性，但不具有方向性，而且刻蝕過程中形成的產物需要用機械泵或分子泵抽走。如圖1-1c所示。

（3）反應離子性刻蝕（RIE）：包括反應離子的濺射；化學刻蝕過程中副產物的物理濺射；形成刻蝕表面。刻蝕過程中，物理刻蝕與化學刻蝕同時發(fā)生，刻蝕速率比單一的物理或化學刻蝕速率快，反應離子性刻蝕既有方向性又有選擇性。如圖1-1b所示。

圖 1 -1 基本的刻蝕機制： a.物理刻蝕； b.反應離子性刻蝕； c.化學刻蝕

等離子體技術廣泛應用于集成電路、材料表面處理、生物醫(yī)學等專業(yè)領域，而且變得越來越重要。在早期的集成電路加工中，濕法刻蝕主要用于電路圖案轉移，然而，隨著時間的推移逐漸被干法刻蝕技術所取代。

目前，等離子體刻蝕的現(xiàn)代發(fā)展主要集中于集成電路的制造，等離子體刻蝕是去除表面材料的關鍵過程。這一過程既具有化學選擇性，即：消除一種類型的材料同時不影響其他材料；又具有各向異性，比如:去除底部溝槽的材料的同時卻不會影響側壁上的相同材料。而且，等離子體是目前唯一一種能夠利用各向異性去除表面材料的商業(yè)可行性技術。因此，它是現(xiàn)代集成電路制造技術中不可或缺的一部分。